Công nghệ sản xuất bộ nhớ mới của Samsung – 3D TSV

[minhduc]

Samsung Electronics đã thông báo về việc phát triển các module registered dual inline memory dung lượng 8GB – Green DDR3 DRAM. Các module memory mới này đã được thử nghiệm thành công bởi các khách hàng chính của Samsung, nó có khả năng cung cấp hiệu năng tuyệt vời nhờ sử dụng công nghệ three-dimensional (3D) chip stacking mới – TSV (viết tắt của through silicon via). Đây không chỉ là công nghệ sản xuất bộ nhớ mà còn là công nghệ đóng gói chip mới.



Samsung 8GB RDIMM sử dụng công nghệ 3D TSV có khả năng tiết kiệm đến 40% năng lượng tiêu thụ bởi 1 RDIMM thông thường. Và cũng với công nghệ 3D TSV mới, mật độ chip nhớ sẽ được tăng cao, đối mặt với việc giảm các socket bộ nhớ trong các hệ thống server thế hệ kế tiếp. Theo đó, các next-gen server sẽ giảm số lượng socket bộ nhớ xuống 30%, và công nghệ 3D TSV có khả năng tăng mật độ DRAM lên hơn 50%, điều này sẽ không làm giảm dung lượng bộ nhớ mà trái lại còn rất hấp dẫn khi tăng cường hiệu năng của các hệ thống máy chủ này.



Công nghệ TSV của Samsung sẽ là chìa khóa để giải bài toán khó đặt ra cho không chỉ các máy chủ, mà còn các hệ thống máy tính, thiết bị khác: bộ nhớ tiêu thụ ít năng lượng hơn nhưng lại có dung lượng cao hơn và đồng thời, hiệu năng cũng phải được tăng cường.

Công nghệ TSV của Samsung sẽ tạo ra các lỗ nhỏ, kích thước micron xuyên qua silicon theo chiều dọc, và được đổ đẩy bằng đồng. Bằng cách dùng tiến trình liên kết “through silicon via” thay cho các liên kết dây dẫn truyền thống, các đường tín hiệu sẽ được rút ngắn đáng kể, cho phép xếp chồng được nhiều chip hơn, giảm diện tích và tăng mật độ chip.



Các RDIMM dùng công nghệ 3D TSV của Samsung đã được kiểm tra bởi chính các khách hàng của hãng; và công nghệ TSV này cũng sẵn sàng dành cho hàng loạt các ứng dụng của máy chủ, vốn có yêu cầu nghiêm ngặt về hiệu năng và mức độ tiêu thụ năng lượng. Công nghệ 3D TSV này dự kiến sẽ được phổ biến rộng rãi vào năm 2012. Hiện tại, các module 8GB RDIMM của Samsung ứng dụng 3D TSV được sản xuất trên tiến trình 40nm, nhưng hãng này cho biết cũng sẽ ứng dụng công nghệ này trên tiến trình 30nm và các tiến trình cao cấp hơn trong tương lai.



Nguồn VOZ